2024年12月24日，浙江省经济和信息化厅公布《2024年度浙江省首台（套）装备结果公示名单》。通过全省制造业企业的激烈竞争和角逐，杭州飞仕得科技股份有限公司的SiC 功率器件动态偏压可靠性测试设备依靠自身的技术研发实力及产品创新能力，成功入选并被认定为浙江省首台（套）装备！

1.  SiC功率器件动态偏压可靠性测试

    SiC器件通常被用于高压、高频、高温等恶劣条件。这些条件可能导致器件内部的物理和化学变化，从而影响其性能。SiC动态偏压可靠性测试能够模拟器件在长时间运行过程中的工作状态、评估SiC器件的运行稳定性、发现潜在缺陷并提高器件的可靠性。这对于确保SiC器件在电动汽车、光伏储能、轨道交通等关键领域的应用至关重要。
 

2. 飞仕得SiC功率器件动态偏压可靠性测试设备——ME100DHTXB
    ME100DHTXB可以帮助SiC器件制造和应用厂商进行DHTGB(Dynamic High Temperature Gate Bias)，DHTRB (Dynamic High Temperature Reverse Bias) 可靠性摸底测试；同时能够帮助第三方检测中心按照AQG 324, AEC-Q101，JEDEC JEP184等标准进行SiC器件可靠性的认证测试。该设备具有4大核心亮点：

1）快速开通关断技术
     DGB: dV_GS/dt > 1V/ns，无过冲;  
     DRB: dV_DS/dt > 50V/ns，过冲<15%。

2）dV/dt在线程控调节技术

“一键式”软件操作，即可程控调节设备驱动能力;

针对不同封装器件均可实现dV/dt波形的在线调节。

3）参数精准表征技术

各工位均具有定制化的高精度测试电路；

可精准监测V_GS(th)、I_GSS、I_DSS等参数的变化。

4）“积木式”测试组合搭配

系统具备柜体，抽屉，治具自由组合模式，每个柜体均可选择DHTGB/DHTRB测试功能;
各个抽屉独立控制，不同工位独立驱动
 

3. 小结

    ME10ODHTXB可模拟实际应用工况下栅极开关运行条件的DHTGB、DHTRB试验，通过监测实际应用栅极开关运行条件下的参数（V_GS(th)、I_GSS、I_DSS等）变化，研究交流偏压温度不稳定性（AC BTI）的失效机制。致力于为SiC器件开发和应用工程师提供高精度、高稳定性、高智能化的测试解决方案