19 2024.04

SiC功率器件阈值电压测试方法

SiC功率器件具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点，已被广泛用于高频、高压功率系统中。与硅基器件相比，SiC功率器件中由偏压温度不稳定性引起的阈值电压漂移问题更为复杂，其阈值电压准确、可...

22 2024.11

浅谈SiC DHTRB动态偏压可靠性试验

概述碳化硅（SiC）器件由于其优异的物理和电学性能，在高温、高频和高功率应用中展现出巨大的潜力。然而，在实际运行过程中，这些器件会受到各种可靠性问题的影响，其中动态偏压可靠性是一个关键因素。1. 动态偏压可靠性测试的基本概念动态偏压可靠...

13 2024.12

浅谈功率半导体器件ATE测试治具

引言：在功率半导体器件（如 IGBT、SiC-MOSFET 等）的生产和质量控制过程中，自动测试设备（ATE）扮演着至关重要的角色。而测试治具作为自动测试设备与被测器件之间的连接桥梁，其性能优劣直接影响测试结果的准确性与可靠性。一套优良的测试治具能够保障...

06 2024.12

SiC器件测试回路杂散电感优化方法

1、概述近年来，以碳化硅(Silicon Carbide，SiC)材料为代表的宽禁带功率器件，受到电力能源行业的广泛关注。与基于传统硅(Silicon，Si)材料器件相比，SiC 器件具有耐高压、耐高温、开关速度快，损耗低等优点，在高效率、高功率密度应用场景具有明显优势...

15 2024.11

浅谈基于IAP的微控制器程序升级原理

1. 概述随着功率半导体行业的蓬勃发展，针对相关新材料、新封装和新拓扑的应用测试及可靠性测试等测试需求日益增长。飞仕得为此推出了多种测试设备，包括SiC器件动态特性测试设备，SiC器件动态偏压可靠性测试设备，SiC器件产线动静态ATE...