文章分类
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2024.08
栅极电压对功率半导体器件测试的影响
1、概述实际应用中,功率半导体器件的开关特性受栅极电压的影响,所以实际的开关特性与数据手册描述的特性会存在一定的差异。因此,有必要研究栅极电压对功率半导体的影响,本文将搭建动态测试平台,通过双脉冲测试和短路测试验证不同栅极电压...
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2024.06
功率半导体器件RBSOA测试用例
1. RBSOA(Reverse Bias Safe Operating Area)是定义IGBT反向关断安全工作区的,其规定了在IGBT使用时,工作范围不能超过该曲线范围。有些工程师朋友在实际测试器件或者功率模组的RBSOA时,可能会发现与规格书的RBSOA曲线相差甚远,这是什么原因呢...
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2024.05
IGBT模块并联测试用例
前言随着IGBT在电气领域的广泛应用,并联的形式使产品具有更高的功率密度、均匀的基板热分布、灵活的布局及较高的性价比等优势。但是,静态和动态均流问题的存在,限制了IGBT通流能力的利用率,确保各并联支路IGBT静态和动态电流的均衡是...